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IPD33CN10NGATMA1  与  IPD50R280CEBTMA1  区别

型号 IPD33CN10NGATMA1 IPD50R280CEBTMA1
唯样编号 A-IPD33CN10NGATMA1 A-IPD50R280CEBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 58W(Tc) 92W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 50V 773pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 29uA 3.5V @ 350uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V 32.6nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 33 毫欧 @ 27A,10V 280 毫欧 @ 4.2A,13V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 27A(Tc) 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 13V
漏源电压(Vdss) 100V 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD33CN10NGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD33CN10N G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPD50R280CEBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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