首页 > 商品目录 > > > > IPD30N10S3L34ATMA1代替型号比较

IPD30N10S3L34ATMA1  与  AOD2916  区别

型号 IPD30N10S3L34ATMA1 AOD2916
唯样编号 A-IPD30N10S3L34ATMA1 A36-AOD2916
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 3.5
功率耗散(最大值) 57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 34mΩ@10A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 43.5mΩ
Qgd(nC) - 2
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1976pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id - 25A
Ciss(pF) - 870
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 31 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 88
VGS(th) - 2.7
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 29uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 68
Qg*(nC) - 5.5
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.904
100+ :  ¥2.233
1,250+ :  ¥1.947
2,500+ :  ¥1.87
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
AOD2916 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55℃~175℃

¥2.904 

阶梯数 价格
20: ¥2.904
100: ¥2.233
1,250: ¥1.947
2,500: ¥1.87
2,500 对比
IRLR2905ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR2905ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 13.5mΩ@36A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@25A,10V N-Channel 55V 42A D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售