首页 > 商品目录 > > > > IPD30N08S222ATMA1代替型号比较

IPD30N08S222ATMA1  与  AUIRFR2407TRL  区别

型号 IPD30N08S222ATMA1 AUIRFR2407TRL
唯样编号 A-IPD30N08S222ATMA1 A-AUIRFR2407TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 74nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 42A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 21.5 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 110W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 80uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N08S222ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2-22_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD442 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V

暂无价格 25 对比
AUIRLR2908TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

22.5mΩ 120W N-Channel 80V 39A DPAK 车规

暂无价格 0 对比
DMNH6021SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFR2407TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

26mΩ 20V 110W N-Channel 75V 42A TO-252-3 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFR2407 Infineon  数据手册 功率MOSFET

75V -55°C~175°C(TJ) 42A 26mΩ 20V 110W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售