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IPD30N06S4L23ATMA2  与  BUK9219-55A,118  区别

型号 IPD30N06S4L23ATMA2 BUK9219-55A,118
唯样编号 A-IPD30N06S4L23ATMA2 A-BUK9219-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 36W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 114W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V -
输出电容 - 380pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SOT428
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 10uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 55A
输入电容 - 2190pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 17.6mΩ@10V,19mΩ@5V,20mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
490+ :  ¥7.8312
1,000+ :  ¥6.0707
1,250+ :  ¥4.976
2,500+ :  ¥4.5651
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¥7.8312 

阶梯数 价格
490: ¥7.8312
1,000: ¥6.0707
1,250: ¥4.976
2,500: ¥4.5651
0 对比
IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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