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IPD30N06S2L23ATMA3  与  AUIRLR2905TRL  区别

型号 IPD30N06S2L23ATMA3 AUIRLR2905TRL
唯样编号 A-IPD30N06S2L23ATMA3 A-AUIRLR2905TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 55V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1091pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252(DPAK) DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 42A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 22A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
漏源电压(Vdss) 55V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252(DPAK)

暂无价格 0 当前型号
AUIRLR2905TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 对比
BUK9225-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 94W 175°C 1.5V 55V 43A

暂无价格 0 对比

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