首页 > 商品目录 > > > > IPD30N06S223ATMA2代替型号比较

IPD30N06S223ATMA2  与  DMN6017SK3-13  区别

型号 IPD30N06S223ATMA2 DMN6017SK3-13
唯样编号 A-IPD30N06S223ATMA2 A3-DMN6017SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ
上升时间 - 5.4ns
Qg-栅极电荷 - 55nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 901pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 1V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,Dpak,SC-63
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 43A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 21A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 11ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2711pF @ 15V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
典型关闭延迟时间 - 38.2ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 50uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 55V -
典型接通延迟时间 - 4.9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N06S223ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S2-23_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
IPD30N06S223ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK7222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 3V 55V 48A

¥12.1056 

阶梯数 价格
400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售