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IPD30N06S223ATMA2  与  IPD30N06S223ATMA1  区别

型号 IPD30N06S223ATMA2 IPD30N06S223ATMA1
唯样编号 A-IPD30N06S223ATMA2 A-IPD30N06S223ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) 100W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 901pF @ 25V 901pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 50uA 4V @ 50uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V 32nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 21A,10V 23 毫欧 @ 21A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 55V 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N06S223ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S2-23_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

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IPD30N06S223ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK7222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 3V 55V 48A

¥12.1056 

阶梯数 价格
400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
0 对比

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