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IPD25N06S4L30ATMA2  与  RSD221N06TL  区别

型号 IPD25N06S4L30ATMA2 RSD221N06TL
唯样编号 A-IPD25N06S4L30ATMA2 A33-RSD221N06TL-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 25V 1500pF @ 10V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 CPT3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 8uA 3V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 25A,10V 26 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) ±16V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) 22A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4V,10V
漏源电压(Vdss) 60V 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 7,301
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥5.1075
100+ :  ¥4.5517
500+ :  ¥4.5421
1,000+ :  ¥4.5325
2,000+ :  ¥4.5134
4,000+ :  ¥4.4846
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
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TO-252-3

¥13.6741 

阶梯数 价格
20: ¥13.6741
50: ¥9.1225
100: ¥7.2923
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