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IPD25N06S4L30ATMA2  与  RD3L220SNFRATL  区别

型号 IPD25N06S4L30ATMA2 RD3L220SNFRATL
唯样编号 A-IPD25N06S4L30ATMA2 A33-RD3L220SNFRATL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 20W
Qg-栅极电荷 - 30 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 8uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 22A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 440
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥13.6741
50+ :  ¥9.1225
100+ :  ¥7.2923
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
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