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IPD25N06S4L30ATMA2  与  AUIRLR024Z  区别

型号 IPD25N06S4L30ATMA2 AUIRLR024Z
唯样编号 A-IPD25N06S4L30ATMA2 A-AUIRLR024Z
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 58mΩ@9.6A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 8uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 16A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 380pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.9nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
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100: ¥4.5517
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RD3L220SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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100: ¥7.2923
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TO-252-3

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AUIRLR024Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

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