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IPD25CN10NGATMA1  与  PSMN025-100D,118  区别

型号 IPD25CN10NGATMA1 PSMN025-100D,118
唯样编号 A-IPD25CN10NGATMA1 A-PSMN025-100D,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 150W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2070pF @ 50V -
输出电容 - 340pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SOT428
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 39uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 47A
输入电容 - 2600pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 35A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 25mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
400+ :  ¥23.0698
1,000+ :  ¥17.0887
1,250+ :  ¥13.3506
2,500+ :  ¥10.9431
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0 对比
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400: ¥23.0698
1,000: ¥17.0887
1,250: ¥13.3506
2,500: ¥10.9431
0 对比

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