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IPD100N04S402ATMA1  与  AUIRFR8405  区别

型号 IPD100N04S402ATMA1 AUIRFR8405
唯样编号 A-IPD100N04S402ATMA1 A-AUIRFR8405
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8405, 100 A, 211 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.98mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2.2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 9430pF @ 25V -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 118nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A,211A
长度 - 6.73mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5171pF @ 25V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 51 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 163W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 95uA -
系列 - COOLiRFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 12 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 155nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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