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IPD090N03LGBTMA1  与  DMN3010LK3-13  区别

型号 IPD090N03LGBTMA1 DMN3010LK3-13
唯样编号 A-IPD090N03LGBTMA1 A-DMN3010LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 42W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5mΩ@18A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 15V 2075 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 13.1A(Ta),43A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD090N03LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD090N03L G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD40NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD090N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD090N03LGATMA1_30V 40A 9mΩ 20V 42W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
STD40NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD518_050 AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±20V 8 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 13.1A(Ta),43A(Tc)

暂无价格 0 对比

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