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IPD082N10N3GATMA1  与  STD100N10F7  区别

型号 IPD082N10N3GATMA1 STD100N10F7
唯样编号 A-IPD082N10N3GATMA1 A36-STD100N10F7
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 MOSFET N CH 100V 80A DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 50V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 75uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.2 毫欧 @ 73A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD082N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD082N10N3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

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STD100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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AOD2904 AOS 功率MOSFET

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TK33S10N1Z,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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