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IPD053N06NATMA1  与  TK80S06K3L(T6L1,NQ  区别

型号 IPD053N06NATMA1 TK80S06K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IPD053N06NATMA1 A-TK80S06K3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta),83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 100W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5 毫欧 @ 40A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 30V 4200 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 85 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK+
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 36uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.3 毫欧 @ 45A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),45A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V 6V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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