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IPD040N03LGBTMA1  与  AOD208  区别

型号 IPD040N03LGBTMA1 AOD208
唯样编号 A-IPD040N03LGBTMA1 A-AOD208
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.4 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),62W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252,(D-Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A(Ta),54A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 35nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD040N03LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD040N03L G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD516 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 46A 50W 5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
314 对比
AOD516 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 46A 50W 5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOD208 AOS 功率MOSFET

18A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±20V 4.4 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),62W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IPD040N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD040N03LGATMA1_30V 90A 4mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOD206_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

18A(Ta),46A(Tc) N-Channel ±20V 5 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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