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IPC100N04S5L2R6ATMA1  与  IRLH7134TRPBF  区别

型号 IPC100N04S5L2R6ATMA1 IRLH7134TRPBF
唯样编号 A-IPC100N04S5L2R6ATMA1 A-IRLH7134TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 75W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@50A,10V
产品特性 车规 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2925pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 8-PowerTDFN PG-TDSON-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 26A(Ta),85A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3720pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),104W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 30uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC100N04S5L-2R6_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

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IRLH7134TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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