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IPC100N04S51R7ATMA1  与  DMTH41M8SPS-13  区别

型号 IPC100N04S51R7ATMA1 DMTH41M8SPS-13
唯样编号 A-IPC100N04S51R7ATMA1 A-DMTH41M8SPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 115W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3.03W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.8mΩ@30A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V 6968 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 79.5 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8(K 类)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 60uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 83nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Tc)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.7 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 7V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC100N04S5-1R7_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMTH41M8SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.03W ±20V PowerDI5060-8(K 类) -55℃~175℃(TJ) 40V 100A(Tc)

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