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IPB90N06S4L04ATMA2  与  IPB100N06S2L05ATMA2  区别

型号 IPB90N06S4L04ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2
唯样编号 A-IPB90N06S4L04ATMA2 A-IPB100N06S2L05ATMA2
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) 300W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 25V 5660pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 90uA 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 230nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 90A,10V 4.4毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) ±16V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
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