首页 > 商品目录 > > > > IPB90N06S4L04ATMA2代替型号比较

IPB90N06S4L04ATMA2  与  DMTH6004SCTB-13  区别

型号 IPB90N06S4L04ATMA2 DMTH6004SCTB-13
唯样编号 A-IPB90N06S4L04ATMA2 A-DMTH6004SCTB-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 4.7W(Ta),136W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.4mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 25V 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Tc)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB90N06S4L-04_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
4,800 对比
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N06S2L-05_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB90N06S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB100N06S2L-05 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB100N06S2L05ATMA2_PG-TO263-3-2

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售