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IPB80R290C3AATMA2  与  IPB80R290C3A  区别

型号 IPB80R290C3AATMA2 IPB80R290C3A
唯样编号 A-IPB80R290C3AATMA2 A-IPB80R290C3A
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 227W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 80mΩ
漏源极电压Vds - 800V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 100V -
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 84A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 290 毫欧 @ 11A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 800V -
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80R290C3AATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPB80R290C3A Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80R290C3AATMA1_800V 84A 80mΩ N-Channel

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