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IPB80P04P4L06ATMA2  与  IPB80P04P4L-06  区别

型号 IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L-06
唯样编号 A-IPB80P04P4L06ATMA2 A-IPB80P04P4L-06
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 88W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 104nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6580pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 16V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.7 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) +5V,-16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 44ns
高度 - 4.4mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 88W
典型关闭延迟时间 - 61ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 150uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS-P2
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 17ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPB80P04P4L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80P04P4L06ATMA1_40V 80A 5.5mΩ 16V 88W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80P04P4L-06_P 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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