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IPB80N06S4L07ATMA2  与  AUIRL3705ZSTRL  区别

型号 IPB80N06S4L07ATMA2 AUIRL3705ZSTRL
唯样编号 A-IPB80N06S4L07ATMA2 A-AUIRL3705ZSTRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ
上升时间 - 240ns
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5680pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 16V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 44A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.7 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 83ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2880pF @ 25V
高度 - 4.4mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 130W
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 40uA -
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 17ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S4L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AUIRL3705ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 8mΩ 16V 130W N-Channel 55V 车规

暂无价格 0 对比
IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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