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IPB80N06S407ATMA2  与  IPB80N06S407ATMA1  区别

型号 IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA1
唯样编号 A-IPB80N06S407ATMA2 A-IPB80N06S407ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) 79W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 25V 4500pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 40uA 4V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V 56nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.1 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 60V 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S407ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S4-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 60V 75A

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
160 对比
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
40 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 75V 75A

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 对比
IPB80N06S407ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AUIRFZ44VZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 57A 12mΩ 20V 92W N-Channel TO-263-3 60V 车规

暂无价格 0 对比

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