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IPB80N06S407ATMA2  与  BUK969R0-60E,118  区别

型号 IPB80N06S407ATMA2 BUK969R0-60E,118
唯样编号 A-IPB80N06S407ATMA2 A-BUK969R0-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 137W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 25V -
输出电容 - 305pF
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 40uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 3263pF
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥8.5965
400+ :  ¥7.0463
800+ :  ¥6.1272
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S407ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S4-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 60V 75A

¥13.7506 

阶梯数 价格
1: ¥13.7506
100: ¥10.4171
400: ¥8.5386
800: ¥7.4249
160 对比
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥13.6982 

阶梯数 价格
1: ¥13.6982
100: ¥10.3774
400: ¥8.5061
800: ¥7.3966
40 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 75V 75A

¥18.8761 

阶梯数 价格
200: ¥18.8761
400: ¥15.4722
800: ¥13.4541
0 对比
AUIRFZ44VZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 57A 12mΩ 20V 92W N-Channel TO-263-3 60V 车规

暂无价格 0 对比
BUK969R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R0-60E_SOT404 N-Channel 8mΩ@20A,10V 137W -55°C~175°C ±10V 60V 75A

¥8.5965 

阶梯数 价格
200: ¥8.5965
400: ¥7.0463
800: ¥6.1272
0 对比

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