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IPB80N06S2L07ATMA3  与  RJ1L08CGNTLL  区别

型号 IPB80N06S2L07ATMA3 RJ1L08CGNTLL
唯样编号 A-IPB80N06S2L07ATMA3 A-RJ1L08CGNTLL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 210W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 96W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.7mOhms@80A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 2.5V@50uA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 80A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.7 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 55nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 55V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S2L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

¥13.1184 

阶梯数 价格
20: ¥13.1184
50: ¥8.5763
100: ¥8.0109
300: ¥7.6372
490 对比
AOB2608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 72A 100W 7.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPB80N06S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK6607-75C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-75C_SOT404 N-Channel 204W 175℃ 2.3V 75V 100A

¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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