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IPB80N06S2L06ATMA2  与  BUK9606-55A,118  区别

型号 IPB80N06S2L06ATMA2 BUK9606-55A,118
唯样编号 A-IPB80N06S2L06ATMA2 A-BUK9606-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3800pF @ 25V -
输出电容 - 1000pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 180uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 6500pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 69A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 55V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@10V,6.7mΩ@4.5V,6.3mΩ@5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥27.7725
400+ :  ¥21.6973
800+ :  ¥17.7847
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S2L-06_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

¥10.823 

阶梯数 价格
10: ¥10.823
100: ¥8.017
400: ¥6.7941
800: ¥6.2331
90 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7607-55B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 55V 75A

¥15.6712 

阶梯数 价格
170: ¥15.6712
400: ¥11.7829
800: ¥9.6581
0 对比
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK7606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7606-55A_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 55V 75A

¥24.4072 

阶梯数 价格
170: ¥24.4072
400: ¥18.3513
800: ¥15.042
0 对比
BUK9606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-55A_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥27.7725 

阶梯数 价格
180: ¥27.7725
400: ¥21.6973
800: ¥17.7847
0 对比

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