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IPB80N06S2H5ATMA2  与  IPB80N06S2-07  区别

型号 IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2-07
唯样编号 A-IPB80N06S2H5ATMA2 A-IPB80N06S2-07
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.3mΩ
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 55V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 2.1V,4V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB PG-TO263-3-2
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 230uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 155nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 80A
RthJC max - 0.6 K/W
QG (typ @10V) - 86.0 nC
Ptot max - 250.0W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 55V -
Budgetary Price €€/1k - 0.64
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S2-H5_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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