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IPB80N06S209ATMA2  与  BUK9609-75A,118  区别

型号 IPB80N06S209ATMA2 BUK9609-75A,118
唯样编号 A-IPB80N06S209ATMA2 A-BUK9609-75A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 190W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 25V -
输出电容 - 905pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 125uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 6631pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.8 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 55V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9mΩ@5V,8.5mΩ@10V,9.95mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥16.7672
400+ :  ¥13.7436
800+ :  ¥11.951
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N06S209ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S2-09_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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¥16.7672 

阶梯数 价格
200: ¥16.7672
400: ¥13.7436
800: ¥11.951
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STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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