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IPB80N04S403ATMA1  与  AOB240L  区别

型号 IPB80N04S403ATMA1 AOB240L
唯样编号 A-IPB80N04S403ATMA1 A36-AOB240L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 68
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.6mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.5mΩ
Qgd(nC) - 7
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5260pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 105A
Ciss(pF) - 3510
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 21
Td(off)(ns) - 38
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 176W
Qrr(nC) - 58
VGS(th) - 2.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 53uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 1070
Qg*(nC) - 22 Ohms
库存与单价
库存 0 702
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.598
100+ :  ¥3.674
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