首页 > 商品目录 > > > > IPB80N04S403ATMA1代替型号比较

IPB80N04S403ATMA1  与  AUIRFS8403TRL  区别

型号 IPB80N04S403ATMA1 AUIRFS8403TRL
唯样编号 A-IPB80N04S403ATMA1 A-AUIRFS8403TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 40V, 123A, 0.0033 ohms, D2Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@70A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5260pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 123A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3183pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 99W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 53uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3183pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 93nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 93nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N04S403ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S4-03_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB240L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥4.598 

阶梯数 价格
20: ¥4.598
100: ¥3.674
702 对比
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN2R8-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40BS_SOT404

暂无价格 220 对比
AUIRFS8403TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK964R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R1-40E_SOT404

¥9.0567 

阶梯数 价格
210: ¥9.0567
400: ¥7.6752
800: ¥7.0415
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售