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IPB80N04S403ATMA1  与  AUIRFS8403  区别

型号 IPB80N04S403ATMA1 AUIRFS8403
唯样编号 A-IPB80N04S403ATMA1 A-AUIRFS8403
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8403, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2.2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5260pF @ 25V -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 123A
长度 - 10.67mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3183pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 26 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 99W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 53uA -
系列 - COOLiRFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 10 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 93nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N04S403ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S4-03_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOB240L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 40V 20V 105A 176W 2.6mΩ@10V

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
100: ¥3.553
391 对比
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 40V 100A

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN2R8-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 40V 100A

暂无价格 220 对比
AUIRFS8403TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@70A,10V N-Channel 40V 123A D2PAK 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFS8403 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 123A 3.3mΩ 99W 车规

暂无价格 0 对比

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