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IPB80N04S2H4ATMA2  与  IPB80N04S2H4ATMA1  区别

型号 IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA1
唯样编号 A-IPB80N04S2H4ATMA2 A-IPB80N04S2H4ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL_30/40V MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4400pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 PG-TO263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 148nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.7 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S2-H4_PG-TO263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB80N04S2H4ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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