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IPB80N03S4L03ATMA1  与  PSMN9R5-100BS,118  区别

型号 IPB80N03S4L03ATMA1 PSMN9R5-100BS,118
唯样编号 A-IPB80N03S4L03ATMA1 A-PSMN9R5-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 211W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V -
输出电容 - 302pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 45uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 89A
输入电容 - 4454pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N03S4L-03_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 对比
BUK969R3-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R3-100E_SOT404 N-Channel 263W 175℃ 1.7V 100V 100A

¥11.7753 

阶梯数 价格
210: ¥11.7753
400: ¥9.9791
800: ¥9.1551
0 对比
IRL7833SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.8mΩ@38A,10V N-Channel 30V 150A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比

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