首页 > 商品目录 > > > > IPB70N10S3L12ATMA1代替型号比较

IPB70N10S3L12ATMA1  与  STB80NF10T4  区别

型号 IPB70N10S3L12ATMA1 STB80NF10T4
唯样编号 A-IPB70N10S3L12ATMA1 A3-STB80NF10T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5550pF @ 25V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 83uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N10S3L-12_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404

¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
0 对比
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100BS_SOT404

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售