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IPB70N10S3L12ATMA1  与  PSMN9R5-100BS,118  区别

型号 IPB70N10S3L12ATMA1 PSMN9R5-100BS,118
唯样编号 A-IPB70N10S3L12ATMA1 A-PSMN9R5-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 211W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5550pF @ 25V -
输出电容 - 302pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 83uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 89A
输入电容 - 4454pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N10S3L-12_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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PSMN013-100BS_SOT404

¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
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PSMN9R5-100BS_SOT404

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 对比

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