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IPB70N10S3L12ATMA1  与  AOB1100L  区别

型号 IPB70N10S3L12ATMA1 AOB1100L
唯样编号 A-IPB70N10S3L12ATMA1 A-AOB1100L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 35
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.7mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5550pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 130A
Ciss(pF) - 4833
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 64
Td(off)(ns) - 50
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 500W
Qrr(nC) - 880
VGS(th) - 3.8
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 83uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 721
Qg*(nC) - 82*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N10S3L-12_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 对比
IRFS4510TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB1100L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 130A 500W 11.7mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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