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IPB70N10S312ATMA1  与  IPP70N10SL-16  区别

型号 IPB70N10S312ATMA1 IPP70N10SL-16
唯样编号 A-IPB70N10S312ATMA1 A-IPP70N10SL-16
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16mΩ
上升时间 - 250ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4355pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 70A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.3 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 95ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 250W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 83uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
典型接通延迟时间 - 70ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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