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IPB70N10S312ATMA1  与  BUK9615-100E,118  区别

型号 IPB70N10S312ATMA1 BUK9615-100E,118
唯样编号 A-IPB70N10S312ATMA1 A-BUK9615-100E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 182W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4355pF @ 25V -
输出电容 - 307pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 83uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 66A
输入电容 - 5110pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.3 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 15mΩ@5V,14mΩ@10V
库存与单价
库存 0 400
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥12.29
100+ :  ¥9.1037
400+ :  ¥7.715
800+ :  ¥7.078
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¥12.29 

阶梯数 价格
10: ¥12.29
100: ¥9.1037
400: ¥7.715
800: ¥7.078
400 对比
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