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IPB70N04S406ATMA1  与  AUIRF4104STRL  区别

型号 IPB70N04S406ATMA1 AUIRF4104STRL
唯样编号 A-IPB70N04S406ATMA1 A-AUIRF4104STRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 58W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.4mΩ
上升时间 - 130ns
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 44A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.2 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 77ns
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 140W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 26uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB70N04S406ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N04S4-06_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPB80N04S3-06 Infineon 功率MOSFET

IPB80N04S306ATMA1_40V 80A 5.8mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK9609-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-40B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 1.5V 40V 75A

¥7.4056 

阶梯数 价格
210: ¥7.4056
400: ¥6.2759
800: ¥5.7577
0 对比
IPB80N04S306ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S3-06_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AUIRF4104STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V 44A 1.4mΩ 20V 140W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比
PSMN8R0-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R0-40BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 40V 77A

¥5.226 

阶梯数 价格
210: ¥5.226
400: ¥4.4288
800: ¥4.0631
0 对比

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