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IPB65R310CFDATMA2  与  IPB65R310CFD  区别

型号 IPB65R310CFDATMA2 IPB65R310CFD
唯样编号 A-IPB65R310CFDATMA2 A-IPB65R310CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 104.2W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 280mΩ
上升时间 - 7.5ns
Qg-栅极电荷 - 41nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11.4A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 310 毫欧 @ 4.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 7ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 400µA
高度 - 4.4mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 104.2W
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
25°C时电流-连续漏极(Id) 11.4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 11ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB65R310CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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