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IPB60R380C6ATMA1  与  R6515KNJTL  区别

型号 IPB60R380C6ATMA1 R6515KNJTL
唯样编号 A-IPB60R380C6ATMA1 A33-R6515KNJTL-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 184W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 315mOhms@6.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 5V@430uA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 27.5nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
4+ :  ¥47.155
10+ :  ¥23.1128
50+ :  ¥19.3278
100+ :  ¥18.5707
500+ :  ¥18.0054
1,000+ :  ¥17.6221
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB60R380C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R380C6_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STB17N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB13NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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R6515KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

15A(Tc) N-Channel 5V@430uA 184W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 650V

¥47.155 

阶梯数 价格
4: ¥47.155
10: ¥23.1128
50: ¥19.3278
100: ¥18.5707
500: ¥18.0054
1,000: ¥17.6221
1,000 对比
STB11NM80T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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