首页 > 商品目录 > > > > IPB60R099CPAATMA1代替型号比较

IPB60R099CPAATMA1  与  AOB42S60L  区别

型号 IPB60R099CPAATMA1 AOB42S60L
唯样编号 A-IPB60R099CPAATMA1 A-AOB42S60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 255W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 109 mΩ @ 21A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(D?Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.2mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 37A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 18A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 40nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 31A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB60R099CPAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099CPA_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB34NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB34NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB36NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
STB36NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售