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IPB50R140CPATMA1  与  AOB29S50L  区别

型号 IPB50R140CPATMA1 AOB29S50L
唯样编号 A-IPB50R140CPATMA1 A-AOB29S50L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 192W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150 mΩ @ 14.5A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(D?Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 930uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 64nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 29A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 14A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 26.6nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 550V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB50R140CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50R140CP_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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