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IPB123N10N3GATMA1  与  IRFS4610  区别

型号 IPB123N10N3GATMA1 IRFS4610
唯样编号 A-IPB123N10N3GATMA1 A-IRFS4610
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@44A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 190W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 73A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.3 毫欧 @ 46A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 58A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3550pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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