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IPB120N06S403ATMA2  与  PSMN004-60B,118  区别

型号 IPB120N06S403ATMA2 PSMN004-60B,118
唯样编号 A-IPB120N06S403ATMA2 A-PSMN004-60B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 167W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13150pF @ 25V -
输出电容 - 1050pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 120uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 8300pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥14.1332
400+ :  ¥11.5846
800+ :  ¥10.0735
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¥14.1332 

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200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
800: ¥10.0735
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