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IPB120N04S401ATMA1  与  BUK761R6-40E,118  区别

型号 IPB120N04S401ATMA1 BUK761R6-40E,118
唯样编号 A-IPB120N04S401ATMA1 A-BUK761R6-40E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 349W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V -
输出电容 - 1620pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 140uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 176nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 8500pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 1.57mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥17.33
400+ :  ¥14.6864
800+ :  ¥13.4738
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB120N04S401ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB120N04S4-01_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
BUK762R0-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R0-40E_SOT404

¥26.4688 

阶梯数 价格
180: ¥26.4688
400: ¥20.6787
800: ¥16.9498
0 对比
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暂无价格 0 对比
BUK761R6-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK761R6-40E_SOT404

¥17.33 

阶梯数 价格
210: ¥17.33
400: ¥14.6864
800: ¥13.4738
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¥12.1928 

阶梯数 价格
210: ¥12.1928
400: ¥10.3329
800: ¥9.4797
0 对比

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