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IPB100N08S2L07ATMA1  与  IRF1407STRRPBF  区别

型号 IPB100N08S2L07ATMA1 IRF1407STRRPBF
唯样编号 A-IPB100N08S2L07ATMA1 A-IRF1407STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5400pF @ 25V 5600pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 246nC @ 10V 250nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.5 毫欧 @ 80A,10V 7.8 毫欧 @ 78A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 75V 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2L-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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