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IPB100N08S207ATMA1  与  BUK9606-75B,118  区别

型号 IPB100N08S207ATMA1 BUK9606-75B,118
唯样编号 A-IPB100N08S207ATMA1 A-BUK9606-75B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 25V -
输出电容 - 842pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 8770pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.8 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥18.8761
400+ :  ¥15.4722
800+ :  ¥13.4541
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB100N08S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 75V 75A

¥18.8761 

阶梯数 价格
200: ¥18.8761
400: ¥15.4722
800: ¥13.4541
0 对比
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N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 75V 75A

暂无价格 0 对比

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