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IPB083N10N3GATMA1  与  AOB296L  区别

型号 IPB083N10N3GATMA1 AOB296L
唯样编号 A-IPB083N10N3GATMA1 A-AOB296L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 12
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.7mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 50V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 70A
Ciss(pF) - 2785
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.3 毫欧 @ 73A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 35
Td(off)(ns) - 29
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 107W
Qrr(nC) - 210
VGS(th) - 3.4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 75uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 238
Qg*(nC) - 16.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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10: ¥15.1058
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